Giustra Medical - American Academy Of Dermatology 2013.

HELIOS II, O Melhor equipamento Nd: YAG Q SWITCH 1064/532 Micro fraccionado para tratamento de melasma, onicomicoses e remoção de tatuagens, em breve no BRASIL! Visite nosso Stand nº 250 no AAD e conheça pessoalmente essa tecnologia.

Confira as diferenças do HELIOS II e suas principais vantagens.

MAIS COMPLETO:
A tecnologia HELIOS II, possui 3 handpieces (Zoom, Colimada e Micro fracionário), isso permite tornar os procedimentos mais eficazes, com menos danos colaterais.
Outros: Não possuem microfracionado, somente o Zoom e Colimada.

MAIS POTENTE:
A tecnologia HELIOS II tem uma potência máxima de 500 mJ para 532nm.
Outros: atingem somente 400 mJ, são menos eficazes.

MAIS RÁPIDO:
A tecnologia HELIOS II tem uma taxa de 10 Hz a 532nm.
Outros: Chegam no máximo até 5 Hz,atingem metade da velocidade

MAIS ESTÁVEL:
A tecnologia HELIOS II dispõe tecnologia "telescope resonator" que permite a emissão contínua do laser 532nm sem a perda a potencia.
Outros: possuem um dispositivo chamado "Unstable", que perde potência, a partir de 10 minutos de utilização contínua.

MAIS HOMOGÊNEO E MAIS PRECISO:
A tecnologia HELIOS emite um feixe de laser mais homogênea ao longo de toda a sua superfície.
Outros: similar emite um feixe de vários anéis.

MAIS ECONÔMICO:
A tecnologia HELIOS II só precisa de 2 lâmpadas que são substituídas a cada 3 milhões de disparos.
Outros: Precisam do dobro: São 4 lâmpadas, e trocadas a cada 2 milhões de disparos.

MAIS CONFIÁVEL:
A TECNOLOGIA HELIOS II é um sistema extremamente modular e perfeito, pois em 2 anos não fez nenhuma alteração em seu sistema, pois atua de maneira constante.
Outros: Continuamente introduzem alterações para corrigir o seu sistema, poisapresentam falhas constantes.

Tecnologia Difractiva:
Helios II é um laser de Nd: YAG Q SWITCH Micro fraccionado que utiliza tecnologia DEO (difrativa), que foi criado e patenteado pela empresa Laseroptek no ano de 2009. A Tecnologia difrativa divide a energia emitida pelo laser em 81 micropontos estáveis e uniformes, que aumentam o efeito terapêutico, sem as complicações que são comuns em outros sistemas. Helios II é especialmente usado para o tratamento de todos os tipos de lesões pigmentares durante todo o ano e inclusive em pele escura e bronzeada.

Indicações Clínicas:
Lentigos solares: Usando o método 532 é removido em uma sessão.	assistir vídeo >>	Branqueamento das unhas
Eliminação de hiperpigmentações pós- inflamatórias e Melasmas: Usando o método de 1064, a energia do laser passa através das camadas superficiais da pele, sem a irritação. Os tratamentos são realizados durante todo o ano, independentemente do tipo de pele. Se realiza uma sessão a cada duas semanas. O Protocolo de tratamento é de 6-10 sessões.Toda face pode ser realizada em 10 minutos.	assistir vídeo >>	Tratamento de Onicomicose. A Energia do laser passa através da unha provocando a destruição do fungo . O tratamento é bem suportável, o paciente continua imediatamente com a sua atividade sem desconforto.Ele deve fazer um tratamento semanal durante um mês, depois uma sessão mensal até o crescimento total da unha.	assistir vídeo >>
Remoção de Tatuagem: Tatuagens lineares: Para este procedimento utiliza-se o Hand Piece com zoom variável de 1 a 7mm Tatuagens grandes coloridas e pretas: Também são tratadas com eficácia sem danificar a pele. A alta taxa de repetição (10 Hz) permite o tratamento de grandes áreas, em um curto espaço de tempo.	assistir vídeo >> assistir vídeo >>	Peeling de carvão: NOVO TRATAMENTO inovador que vai escovar a pele com um carvão especial juntamente com a aplicação do laser. A tecnologia Helios, produz a emissão desse laser de forma colimada, provocando a vaporização do carvão. Com isso as rugas são atenuadas e os poros são removidos. O resultado é uma pele mais jovem e saudável. A grande vantagem é que este peeling não produz qualquer tipo de inflamação, e pode ser utilizado horas antes de um encontro social, seja uma festa ou reunião.	assistir vídeo >>

Lummex Technologies
Sr. Roberto Fukimoto

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Sr. Augusto Roberto Debiage Fukimoto

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